英飞凌推出全球最薄功率硅晶片,突破技术极限


继宣布推出全球首块300毫米氮化镓(GaN)功率半导体晶圆以及在马来西亚库林建成全球最大的200毫米碳化硅(SiC)功率半导体晶圆厂之后,英飞凌再次在半导体制造技术领域实现了新的里程碑。英飞凌在处理和加工直径为 300 毫米、厚度为 20 微米的史上最薄硅功率晶片方面取得了突破性进展。该厚度仅为头发丝宽度的四分之一,是当今最先进的 40-60 μm 硅晶片厚度的一半。
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