英飞凌推出新型 HYPERRAM™ 存储器芯片

英飞凌科技推出全新 HYPERRAM™ 3.0 器件，进一步改进了其高带宽、低引脚数内存解决方案，该器件采用全新 16 位扩展 HyperBus™ 接口，将吞吐量提高了一倍，达到 800MBps。英飞凌推出的 HYPERRAM™ 3.0 器件具有全新的 16 位扩展 HyperBus™ 接口，将吞吐量提高了一倍，达到 800MBps，从而提供了完整的低引脚数、低功耗、高带宽存储器产品组合。该芯片非常适合需要扩展 RAM 存储器的应用，包括视频缓冲、工厂自动化、人工智能物联网 (AIoT) 和汽车车对车 (V2X)，以及需要便笺簿进行数据密集型计算的应用。

英飞凌科技汽车电子业务部高级营销与应用总监Ramesh Chettuvetty表示："英飞凌在存储器解决方案领域拥有近三十年的专业经验，我们很高兴能为市场带来又一个行业首创。与 PSRAM 和 SDR DRAM 等现有技术相比，新型 HYPERRAM™ 3.0 存储器解决方案的单位引脚数据吞吐量要高得多。其低功耗特性可在不牺牲吞吐量的情况下降低功耗，使这款存储器成为工业和物联网解决方案的理想之选。

英飞凌 HYPERRAM™ 是一种基于 PSRAM 的独立易失性存储器，为扩展存储器提供了一种经济高效的附加方式。其数据传输速率与 SDR DRAM 相当，但使用的引脚更少，功耗更低。HyperBus™ 接口的单位引脚数据吞吐量更高，允许使用引脚更少的微控制器 (MCU) 和层数更少的 PCB，为目标应用提供了复杂度更低、成本更优化的设计解决方案。